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数据手册 | IRF40DM229 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Cut Tape, Reel |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | DirectFET-MF |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | StrongIRFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 83 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Id-连续漏极电流 | 159 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 1.4 MOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.2 V |
Qg-栅极电荷 | 161 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:56,090
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥12.0223
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥12.0223 | ¥12.0223 |
10+ | ¥10.2242 | ¥102.2420 |
100+ | ¥7.9326 | ¥793.2600 |
500+ | ¥6.6898 | ¥3,344.9000 |
2,500+ | ¥5.6410 | ¥14,102.5000 |
4,800+ | ¥5.6410 | ¥27,076.8000 |
9,600+ | ¥5.4294 | ¥52,122.2400 |
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