SQJ860EP-T1_GE3
MOSFET 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified
- 制造商：
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SQJ860EP-T1_GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | PowerPAK-SO-8L-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | TrenchFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 48 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 5 MOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 55 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,350
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥5.5176
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.5176 | ￥5.5176 |
| 10+ | ￥4.4511 | ￥44.5110 |
| 100+ | ￥3.4375 | ￥343.7500 |
| 500+ | ￥2.8293 | ￥1,414.6500 |
| 3,000+ | ￥2.0360 | ￥6,108.0000 |
| 6,000+ | ￥1.8862 | ￥11,317.2000 |
| 9,000+ | ￥1.8245 | ￥16,420.5000 |
| 24,000+ | ￥1.7628 | ￥42,307.2000 |
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