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| 数据手册 | IXTN660N04T4 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Chassis Mount |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1040 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Id-连续漏极电流 | 660 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 850 uOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 860 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,830
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥126.2782
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥126.2782 | ￥126.2782 |
| 5+ | ￥125.1676 | ￥625.8380 |
| 10+ | ￥116.4241 | ￥1,164.2410 |
| 25+ | ￥113.5155 | ￥2,837.8875 |
| 50+ | ￥110.9154 | ￥5,545.7700 |
| 100+ | ￥98.1527 | ￥9,815.2700 |
| 200+ | ￥94.8651 | ￥18,973.0200 |
| 500+ | ￥83.7154 | ￥41,857.7000 |
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