FDMS4D0N12C
MOSFET PTNG 120V N-FET 118A
- 制造商：
- ON Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | FDMS4D0N12C 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PQFN-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 106 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 120 V |
| Id-连续漏极电流 | 114 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 4 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 82 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,792
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥35.3177
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥35.3177 | ￥35.3177 |
| 10+ | ￥30.0557 | ￥300.5570 |
| 100+ | ￥24.0446 | ￥2,404.4600 |
| 250+ | ￥22.6784 | ￥5,669.6000 |
| 500+ | ￥21.3740 | ￥10,687.0000 |
| 1,000+ | ￥18.6504 | ￥18,650.4000 |
| 3,000+ | ￥18.0334 | ￥54,100.2000 |
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