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| 数据手册 | SIHB17N80E-GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | D2PAK-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 208 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 290 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 122 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：59,889
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥31.9067
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥31.9067 | ￥31.9067 |
| 10+ | ￥26.3979 | ￥263.9790 |
| 100+ | ￥21.7530 | ￥2,175.3000 |
| 250+ | ￥21.0655 | ￥5,266.3750 |
| 500+ | ￥18.8972 | ￥9,448.6000 |
| 1,000+ | ￥15.9269 | ￥15,926.9000 |
| 2,500+ | ￥14.8692 | ￥37,173.0000 |
| 5,000+ | ￥14.5607 | ￥72,803.5000 |
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