SIRA58DP-T1-GE3
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
- 制造商：
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SIRA58DP-T1-GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PowerPAK-SO-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | TrenchFET, PowerPAK |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 56.8 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 16 V, + 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Id-连续漏极电流 | 109 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.65 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.4 V |
| Qg-栅极电荷 | 23 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,857
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥7.3156
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥7.3156 | ￥7.3156 |
| 10+ | ￥6.1874 | ￥61.8740 |
| 100+ | ￥4.8477 | ￥484.7700 |
| 500+ | ￥4.0809 | ￥2,040.4500 |
| 3,000+ | ￥3.0056 | ￥9,016.8000 |
| 6,000+ | ￥2.8557 | ￥17,134.2000 |
| 9,000+ | ￥2.8293 | ￥25,463.7000 |
| 24,000+ | ￥2.7940 | ￥67,056.0000 |
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