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| 数据手册 | SUG80050E-GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 500 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 4.5 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 165 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,244
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥30.3642
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥30.3642 | ￥30.3642 |
| 10+ | ￥25.1552 | ￥251.5520 |
| 100+ | ￥21.4356 | ￥2,143.5600 |
| 250+ | ￥21.1272 | ￥5,281.8000 |
| 500+ | ￥19.0206 | ￥9,510.3000 |
| 1,000+ | ￥18.0334 | ￥18,033.4000 |
| 2,500+ | ￥15.1777 | ￥37,944.2500 |
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