| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装 |
Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 150 C |
| 封装 / 箱体 |
TO-263-3 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SI |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
41 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
20 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
600 V |
| Id-连续漏极电流 |
9 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
305 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 |
3 V |
| Qg-栅极电荷 |
13 nC |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥9.5456
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥9.5456 |
￥9.5456 |
|
10+
|
￥8.0560 |
￥80.5600 |
|
100+
|
￥6.1610 |
￥616.1000 |
|
500+
|
￥5.3501 |
￥2,675.0500 |
|
1,000+
|
￥4.5392 |
￥4,539.2000 |
|
2,000+
|
￥4.4070 |
￥8,814.0000 |
|
10,000+
|
￥3.9927 |
￥39,927.0000 |
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