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| 数据手册 | IXFB90N85X 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PLUS-264-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1.785 kW |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 850 V |
| Id-连续漏极电流 | 90 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 41 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 340 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,963
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥173.4331
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥173.4331 | ￥173.4331 |
| 5+ | ￥171.8818 | ￥859.4090 |
| 10+ | ￥159.9212 | ￥1,599.2120 |
| 25+ | ￥155.8932 | ￥3,897.3300 |
| 50+ | ￥152.3059 | ￥7,615.2950 |
| 100+ | ￥141.9583 | ￥14,195.8300 |
| 250+ | ￥130.2445 | ￥32,561.1250 |
| 500+ | ￥123.9865 | ￥61,993.2500 |
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