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    NTB082N65S3F

    MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG

    制造商:
    ON Semiconductor
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 NTB082N65S3F 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 D2PAK-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 313 W
    Vgs - 栅极-源极电压 30 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 650 V
    Id-连续漏极电流 40 A
    Rds On-漏源导通电阻 82 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3 V
    Qg-栅极电荷 81 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:58,687

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥29.4299
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥29.4299 ¥29.4299
    10+ ¥25.0318 ¥250.3180
    100+ ¥20.0166 ¥2,001.6600
    250+ ¥18.8972 ¥4,724.3000
    800+ ¥15.5567 ¥12,445.3600
    2,400+ ¥14.9926 ¥35,982.2400
    4,800+ ¥14.3139 ¥68,706.7200

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