文档与媒体
| 数据手册 | IRF200P223 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247AC-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | StrongIRFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 313 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 11.5 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 102 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,407
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥35.8730
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥35.8730 | ￥35.8730 |
| 10+ | ￥30.4876 | ￥304.8760 |
| 100+ | ￥22.9869 | ￥2,298.6900 |
| 500+ | ￥21.6913 | ￥10,845.6500 |
| 1,000+ | ￥19.3291 | ￥19,329.1000 |
申请更低价? 请联系客服
