图像仅供参考 请参阅产品规格

    IPB033N10N5LFATMA1

    MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IPB033N10N5LFATMA1 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 D2PAK-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 OptiMOS
    配置 Single
    Pd-功率耗散 179 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 100 V
    Id-连续漏极电流 120 A
    Rds On-漏源导通电阻 2.7 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2.5 V
    Qg-栅极电荷 102 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:55,242

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥32.1006
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥32.1006 ¥32.1006
    10+ ¥27.2617 ¥272.6170
    100+ ¥20.5719 ¥2,057.1900
    500+ ¥19.3908 ¥9,695.4000
    1,000+ ¥16.7907 ¥16,790.7000
    2,000+ ¥16.2971 ¥32,594.2000
    5,000+ ¥14.8692 ¥74,346.0000

    申请更低价? 请联系客服QQ 154861934

    新品资讯