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| 数据手册 | SQS966ENW-T1_GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | PowerPAK-1212-8 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 27.8 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 36 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 6.2 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,992
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥5.7644
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.7644 | ￥5.7644 |
| 10+ | ￥4.8830 | ￥48.8300 |
| 100+ | ￥3.5168 | ￥351.6800 |
| 500+ | ￥2.9086 | ￥1,454.3000 |
| 3,000+ | ￥2.2123 | ￥6,636.9000 |
| 6,000+ | ￥2.0625 | ￥12,375.0000 |
| 9,000+ | ￥1.9743 | ￥17,768.7000 |
| 24,000+ | ￥1.8686 | ￥44,846.4000 |
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