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    SCT3060ARC14

    MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

    制造商:
    ROHM Semiconductor
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 SCT3060ARC14 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-247-4L
    通道数量 1 Channel
    技术 SiC
    配置 Single
    Pd-功率耗散 165 W
    Vgs - 栅极-源极电压 - 4 V to 22 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 650 V
    Id-连续漏极电流 39 A
    Rds On-漏源导通电阻 60 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 5.6 V
    Qg-栅极电荷 58 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:51,089

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥129.7509
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥129.7509 ¥129.7509
    10+ ¥119.3416 ¥1,193.4160
    25+ ¥114.3793 ¥2,859.4825
    100+ ¥100.7528 ¥10,075.2800
    250+ ¥95.7906 ¥23,947.6500
    500+ ¥89.5943 ¥44,797.1500

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