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| 数据手册 | IXFK170N25X3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-264-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 960 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Id-连续漏极电流 | 170 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 6.1 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 190 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,721
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥84.9493
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥84.9493 | ￥84.9493 |
| 10+ | ￥78.0744 | ￥780.7440 |
| 100+ | ￥77.2018 | ￥7,720.1800 |
| 250+ | ￥64.6859 | ￥16,171.4750 |
| 500+ | ￥58.6131 | ￥29,306.5500 |
| 1,000+ | ￥53.7830 | ￥53,783.0000 |
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