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| 数据手册 | FDP2D3N10C 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 214 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 222 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.1 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 152 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,732
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥36.9307
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥36.9307 | ￥36.9307 |
| 10+ | ￥31.3514 | ￥313.5140 |
| 100+ | ￥25.0935 | ￥2,509.3500 |
| 250+ | ￥23.6656 | ￥5,916.4000 |
| 500+ | ￥22.3082 | ￥11,154.1000 |
| 1,000+ | ￥19.5142 | ￥19,514.2000 |
| 2,500+ | ￥18.8355 | ￥47,088.7500 |
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