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    IXFK300N20X3

    MOSFET N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm

    制造商:
    IXYS
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-264-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 HiPerFET
    配置 Single
    Pd-功率耗散 1250 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 200 V
    Id-连续漏极电流 300 A
    Rds On-漏源导通电阻 4 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2.5 V
    Qg-栅极电荷 375 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:51,615

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥136.3173
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥136.3173 ¥136.3173
    5+ ¥135.1362 ¥675.6810
    10+ ¥125.7229 ¥1,257.2290
    25+ ¥122.5587 ¥3,063.9675
    50+ ¥119.7117 ¥5,985.5850
    100+ ¥105.9531 ¥10,595.3100
    250+ ¥103.9699 ¥25,992.4750
    500+ ¥90.4052 ¥45,202.6000

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