SQ1912EH-T1_GE3
MOSFET 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
- 制造商：
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SQ1912EH-T1_GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-363-6 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | TrenchFET |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 12 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Id-连续漏极电流 | 800 mA |
| Rds On-漏源导通电阻 | 200 mOhms, 200 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 450 mV |
| Qg-栅极电荷 | 1.15 nC, 1.15 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,075
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥2.6618
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥2.6618 | ￥2.6618 |
| 10+ | ￥2.0537 | ￥20.5370 |
| 100+ | ￥1.3838 | ￥138.3800 |
| 500+ | ￥1.0753 | ￥537.6500 |
| 3,000+ | ￥0.7316 | ￥2,194.8000 |
| 6,000+ | ￥0.6875 | ￥4,125.0000 |
| 9,000+ | ￥0.6443 | ￥5,798.7000 |
| 24,000+ | ￥0.5888 | ￥14,131.2000 |
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