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    FCP165N65S3

    MOSFET SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm

    制造商:
    ON Semiconductor
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 FCP165N65S3 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-220-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 154 W
    Vgs - 栅极-源极电压 30 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 650 V
    Id-连续漏极电流 19 A
    Rds On-漏源导通电阻 165 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2.5 V
    Qg-栅极电荷 39 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:50,706

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥16.7907
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥16.7907 ¥16.7907
    10+ ¥14.2522 ¥142.5220
    100+ ¥11.0880 ¥1,108.8000
    250+ ¥10.7795 ¥2,694.8750
    500+ ¥9.3605 ¥4,680.2500
    1,000+ ¥7.9326 ¥7,932.6000
    2,500+ ¥7.7475 ¥19,368.7500
    5,000+ ¥7.3156 ¥36,578.0000
    10,000+ ¥7.1217 ¥71,217.0000

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