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| 数据手册 | SIHJ10N60E-T1-GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PowerPAK-SO-8L-4 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 89 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 313 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 25 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,461
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥18.0951
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥18.0951 | ￥18.0951 |
| 10+ | ￥14.9926 | ￥149.9260 |
| 100+ | ￥12.0840 | ￥1,208.4000 |
| 500+ | ￥10.3476 | ￥5,173.8000 |
| 3,000+ | ￥7.8709 | ￥23,612.7000 |
| 6,000+ | ￥7.7475 | ￥46,485.0000 |
| 9,000+ | ￥7.3156 | ￥65,840.4000 |
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