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    IPN80R2K0P7ATMA1

    MOSFET LOW POWER_NEW

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IPN80R2K0P7ATMA1 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 PG-SOT-223-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 CoolMOS
    配置 Single
    Pd-功率耗散 6 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 800 V
    Id-连续漏极电流 3 A
    Rds On-漏源导通电阻 1.7 Ohms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2.5 V
    Qg-栅极电荷 9 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:57,578

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥5.3325
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥5.3325 ¥5.3325
    10+ ¥4.4070 ¥44.0700
    100+ ¥2.6706 ¥267.0600
    1,000+ ¥2.2740 ¥2,274.0000
    3,000+ ¥2.0272 ¥6,081.6000

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