| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装 |
Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 150 C |
| 封装 / 箱体 |
HSMT-8 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SI |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
20 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
20 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
60 V |
| Id-连续漏极电流 |
30 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
13.9 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 |
1.3 V |
| Qg-栅极电荷 |
24.5 nC |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥7.5007
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥7.5007 |
￥7.5007 |
|
10+
|
￥6.3813 |
￥63.8130 |
|
100+
|
￥4.9270 |
￥492.7000 |
|
500+
|
￥4.3541 |
￥2,177.0500 |
|
3,000+
|
￥3.0496 |
￥9,148.8000 |
|
9,000+
|
￥2.9351 |
￥26,415.9000 |
|
24,000+
|
￥2.8381 |
￥68,114.4000 |
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