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    IPT60R125G7XTMA1

    MOSFET HIGH POWER NEW

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IPT60R125G7XTMA1 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 HSOF-8
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 120 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 600 V
    Id-连续漏极电流 20 A
    Rds On-漏源导通电阻 108 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3 V
    Qg-栅极电荷 27 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:58,911

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥24.8467
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥24.8467 ¥24.8467
    10+ ¥21.1272 ¥211.2720
    100+ ¥15.9269 ¥1,592.6900
    500+ ¥14.9926 ¥7,496.3000
    2,000+ ¥12.4542 ¥24,908.4000
    4,000+ ¥11.5287 ¥46,114.8000

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