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    SCT3030ARC14

    MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

    制造商:
    ROHM Semiconductor
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 SCT3030ARC14 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-247-4L
    通道数量 1 Channel
    技术 SiC
    配置 Single
    Pd-功率耗散 262 W
    Vgs - 栅极-源极电压 - 4 V to 22 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 650 V
    Id-连续漏极电流 70 A
    Rds On-漏源导通电阻 30 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 5.6 V
    Qg-栅极电荷 104 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:57,730

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥251.3224
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥251.3224 ¥251.3224
    5+ ¥245.7431 ¥1,228.7155
    10+ ¥234.4700 ¥2,344.7000
    25+ ¥224.6777 ¥5,616.9425
    100+ ¥203.6122 ¥20,361.2200
    250+ ¥196.5434 ¥49,135.8500

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