SCT3080KRC14
MOSFET 1200V NCH SIC TRENCH
- 制造商:
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SCT3080KRC14 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-4L |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SiC |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 165 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 4 V to 22 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1200 V |
| Id-连续漏极电流 | 31 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 80 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5.6 V |
| Qg-栅极电荷 | 60 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存:59,955
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥125.7229
| 数量 | 单价(含税) | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ¥125.7229 | ¥125.7229 |
| 5+ | ¥124.4184 | ¥622.0920 |
| 10+ | ¥115.9305 | ¥1,159.3050 |
| 25+ | ¥110.7303 | ¥2,768.2575 |
| 100+ | ¥99.0165 | ¥9,901.6500 |
| 250+ | ¥94.4332 | ¥23,608.3000 |
| 500+ | ¥89.9116 | ¥44,955.8000 |
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