SIS106DN-T1-GE3
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
- 制造商：
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SIS106DN-T1-GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PowerPAK-1212-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | TrenchFET, PowerPAK |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 24 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 18.5 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 13.5 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,631
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥6.5664
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.5664 | ￥6.5664 |
| 10+ | ￥5.6762 | ￥56.7620 |
| 100+ | ￥4.3894 | ￥438.9400 |
| 500+ | ￥3.7019 | ￥1,850.9500 |
| 3,000+ | ￥2.6971 | ￥8,091.3000 |
| 6,000+ | ￥2.6354 | ￥15,812.4000 |
| 9,000+ | ￥2.5296 | ￥22,766.4000 |
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