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    RS1E301GNTB1

    MOSFET NCH 30V 80A POWER

    制造商:
    ROHM Semiconductor
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 RS1E301GNTB1 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 HSOP-8
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 33 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 30 V
    Id-连续漏极电流 80 A
    Rds On-漏源导通电阻 2.2 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 1.2 V
    Qg-栅极电荷 39.8 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:58,511

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥9.9158
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥9.9158 ¥9.9158
    10+ ¥8.4262 ¥84.2620
    100+ ¥6.7515 ¥675.1500
    500+ ¥5.9054 ¥2,952.7000
    2,500+ ¥4.5568 ¥11,392.0000
    5,000+ ¥4.3894 ¥21,947.0000
    10,000+ ¥4.2219 ¥42,219.0000

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