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    R6006JNXC7G

    MOSFET NCH 600V 6A POWER MOSFET

    制造商:
    ROHM Semiconductor
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 R6006JNXC7G 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-220FM-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 43 W
    Vgs - 栅极-源极电压 30 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 600 V
    Id-连续漏极电流 6 A
    Rds On-漏源导通电阻 936 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 5 V
    Qg-栅极电荷 15.5 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:52,854

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥15.1777
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥15.1777 ¥15.1777
    10+ ¥12.8861 ¥128.8610
    100+ ¥10.2859 ¥1,028.5900
    500+ ¥8.9815 ¥4,490.7500
    1,000+ ¥7.4390 ¥7,439.0000
    2,500+ ¥6.9366 ¥17,341.5000
    5,000+ ¥6.6898 ¥33,449.0000
    10,000+ ¥6.4430 ¥64,430.0000

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