RS1E350GNTB
MOSFET NCH 30V 80A POWER
- 制造商：
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | RS1E350GNTB 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | HSOP-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 39 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.76 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.2 V |
| Qg-栅极电荷 | 68 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,828
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥13.6970
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥13.6970 | ￥13.6970 |
| 10+ | ￥11.6521 | ￥116.5210 |
| 100+ | ￥9.2988 | ￥929.8800 |
| 500+ | ￥8.1177 | ￥4,058.8500 |
| 2,500+ | ￥6.2579 | ￥15,644.7500 |
| 5,000+ | ￥6.0552 | ￥30,276.0000 |
| 10,000+ | ￥5.8261 | ￥58,261.0000 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
