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| 数据手册 | IPB032N10N5ATMA1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-7 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | OptiMOS |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 187 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 166 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.8 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.2 V |
| Qg-栅极电荷 | 95 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存:53,060
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥33.9515
| 数量 | 单价(含税) | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ¥33.9515 | ¥33.9515 |
| 10+ | ¥28.8130 | ¥288.1300 |
| 100+ | ¥21.8147 | ¥2,181.4700 |
| 500+ | ¥20.5102 | ¥10,255.1000 |
| 1,000+ | ¥17.5310 | ¥17,531.0000 |
| 2,000+ | ¥17.0375 | ¥34,075.0000 |
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