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| 数据手册 | TP65H050WSQA 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 36 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 4.8 V |
| Qg-栅极电荷 | 15 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存:53,941
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥112.1493
| 数量 | 单价(含税) | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ¥112.1493 | ¥112.1493 |
| 10+ | ¥101.9868 | ¥1,019.8680 |
| 25+ | ¥94.3098 | ¥2,357.7450 |
| 50+ | ¥90.3435 | ¥4,517.1750 |
| 100+ | ¥86.6857 | ¥8,668.5700 |
| 250+ | ¥78.9999 | ¥19,749.9750 |
| 500+ | ¥73.9847 | ¥36,992.3500 |
| 1,000+ | ¥67.5417 | ¥67,541.7000 |
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