NCV8402AMNWT1G
MOSFET 165MOHM 2A LOW-SIDE SMAR
- 制造商：
- ON Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | NCV8402AMNWT1G 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | DFN-6 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 8.9 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 14 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 42 V |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 165 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.3 V |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,237
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥6.1345
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.1345 | ￥6.1345 |
| 10+ | ￥5.2003 | ￥52.0030 |
| 100+ | ￥3.9663 | ￥396.6300 |
| 250+ | ￥3.5344 | ￥883.6000 |
| 1,000+ | ￥2.6001 | ￥2,600.1000 |
| 3,000+ | ￥2.4679 | ￥7,403.7000 |
| 6,000+ | ￥2.3798 | ￥14,278.8000 |
| 9,000+ | ￥2.3005 | ￥20,704.5000 |
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