SQS484ENW-T1_GE3
MOSFET N-Channel 40V PowerPAK 1212-8W
- 制造商：
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SQS484ENW-T1_GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 封装 | Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | PowerPAK-1212-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | TrenchFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 62.5 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 6.5 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 35 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,223
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥5.1386
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.1386 | ￥5.1386 |
| 10+ | ￥4.2660 | ￥42.6600 |
| 100+ | ￥3.2788 | ￥327.8800 |
| 500+ | ￥2.7059 | ￥1,352.9500 |
| 3,000+ | ￥1.9391 | ￥5,817.3000 |
| 6,000+ | ￥1.8069 | ￥10,841.4000 |
| 9,000+ | ￥1.7540 | ￥15,786.0000 |
| 24,000+ | ￥1.6747 | ￥40,192.8000 |
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