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| 数据手册 | TK10E80W,S1X 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | DTMOSVI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 130 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Id-连续漏极电流 | 9.5 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 550 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
| Qg-栅极电荷 | 19 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,418
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥23.4805
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥23.4805 | ￥23.4805 |
| 10+ | ￥18.8972 | ￥188.9720 |
| 100+ | ￥17.2226 | ￥1,722.2600 |
| 250+ | ￥16.5439 | ￥4,135.9750 |
| 500+ | ￥13.9437 | ￥6,971.8500 |
| 1,000+ | ￥11.7755 | ￥11,775.5000 |
| 2,500+ | ￥11.1497 | ￥27,874.2500 |
| 5,000+ | ￥10.7795 | ￥53,897.5000 |
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