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    SISA24DN-T1-GE3

    MOSFET 25V Vds 60A Id 17.2nC Qg Typ.

    制造商:
    Vishay Semiconductors
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 PowerPAK-1212-8
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 TrenchFET, PowerPAK
    配置 Single
    Pd-功率耗散 52 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V, - 16 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 25 V
    Id-连续漏极电流 60 A
    Rds On-漏源导通电阻 1.15 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 1 V
    Qg-栅极电荷 55 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:55,570

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥5.3942
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥5.3942 ¥5.3942
    10+ ¥4.8477 ¥48.4770
    100+ ¥3.6754 ¥367.5400
    500+ ¥3.0320 ¥1,516.0000
    1,000+ ¥2.4327 ¥2,432.7000
    3,000+ ¥2.2035 ¥6,610.5000

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