SQJB80EP-T1_GE3
MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
- 制造商：
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SQJB80EP-T1_GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | PowerPAK-SO-8L-4 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | TrenchFET |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 48 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 15.5 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 32 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,502
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥6.5664
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.5664 | ￥6.5664 |
| 10+ | ￥5.5616 | ￥55.6160 |
| 100+ | ￥4.3629 | ￥436.2900 |
| 500+ | ￥3.6666 | ￥1,833.3000 |
| 3,000+ | ￥2.6706 | ￥8,011.8000 |
| 6,000+ | ￥2.5649 | ￥15,389.4000 |
| 9,000+ | ￥2.4679 | ￥22,211.1000 |
| 24,000+ | ￥2.4150 | ￥57,960.0000 |
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