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数据手册 | IXFP80N25X3 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-220AB-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 390 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
Id-连续漏极电流 | 80 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 13 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
Qg-栅极电荷 | 83 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:56,072
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥38.0412
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥38.0412 | ¥38.0412 |
10+ | ¥34.3305 | ¥343.3050 |
50+ | ¥33.0261 | ¥1,651.3050 |
100+ | ¥31.2280 | ¥3,122.8000 |
250+ | ¥28.5045 | ¥7,126.1250 |
500+ | ¥23.9829 | ¥11,991.4500 |
1,000+ | ¥21.5590 | ¥21,559.0000 |
2,500+ | ¥20.7570 | ¥51,892.5000 |
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