图像仅供参考 请参阅产品规格

    IPD80R2K0P7ATMA1

    MOSFET LOW POWER_NEW

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IPD80R2K0P7ATMA1 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 DPAK-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 CoolMOS
    配置 Single
    Pd-功率耗散 24 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 800 V
    Id-连续漏极电流 3 A
    Rds On-漏源导通电阻 1.7 Ohms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2.5 V
    Qg-栅极电荷 9 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:54,525

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥5.1386
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥5.1386 ¥5.1386
    10+ ¥4.3717 ¥43.7170
    100+ ¥3.2436 ¥324.3600
    500+ ¥2.7764 ¥1,388.2000
    2,500+ ¥2.2299 ¥5,574.7500
    10,000+ ¥2.2211 ¥22,211.0000

    申请更低价? 请联系客服QQ 154861934

    新品资讯