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    SSM3J66MFV,L3F

    MOSFET Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-0.8A, RDS(ON)=0.39Ohm @ 4.5V, in VESM package

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 SSM3J66MFV,L3F 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 VESM-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 U-MOSVI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 150 mW
    Vgs - 栅极-源极电压 - 8 V, 6 V
    晶体管极性 P-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 20 V
    Id-连续漏极电流 0.8 A
    Rds On-漏源导通电阻 4 Ohms
    Vgs th-栅源极阈值电压 - 1 V
    Qg-栅极电荷 1.6 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:50,985

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥2.3533
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥2.3533 ¥2.3533
    10+ ¥1.7364 ¥17.3640
    100+ ¥0.6690 ¥66.9000
    1,000+ ¥0.4953 ¥495.3000
    8,000+ ¥0.3349 ¥2,679.2000
    24,000+ ¥0.3288 ¥7,891.2000
    48,000+ ¥0.2724 ¥13,075.2000
    96,000+ ¥0.2662 ¥25,555.2000

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