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    FCU360N65S3R0

    MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm

    制造商:
    ON Semiconductor
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 FCU360N65S3R0 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 IPAK-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 83 W
    Vgs - 栅极-源极电压 30 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 650 V
    Id-连续漏极电流 10 A
    Rds On-漏源导通电阻 360 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2.5 V
    Qg-栅极电荷 18 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:53,027

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥8.5496
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥8.5496 ¥8.5496
    10+ ¥7.2539 ¥72.5390
    100+ ¥5.4735 ¥547.3500
    250+ ¥5.3060 ¥1,326.5000
    500+ ¥4.6450 ¥2,322.5000
    1,000+ ¥3.7812 ¥3,781.2000
    2,500+ ¥3.6666 ¥9,166.5000
    5,000+ ¥3.5609 ¥17,804.5000
    10,000+ ¥3.2347 ¥32,347.0000

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