RQ3E110AJTB
MOSFET NCH 30V 24A POWER
- 制造商:
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | RQ3E110AJTB 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Cut Tape, Reel |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | HSMT-8 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 15 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 12 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Id-连续漏极电流 | 24 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 11.7 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 500 mV |
Qg-栅极电荷 | 13.5 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:58,604
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥3.8429
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥3.8429 | ¥3.8429 |
10+ | ¥3.2259 | ¥32.2590 |
100+ | ¥2.0801 | ¥208.0100 |
1,000+ | ¥1.6570 | ¥1,657.0000 |
3,000+ | ¥1.4014 | ¥4,204.2000 |
9,000+ | ¥1.3485 | ¥12,136.5000 |
24,000+ | ¥1.3045 | ¥31,308.0000 |
45,000+ | ¥1.2780 | ¥57,510.0000 |
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