RQ3E100ATTB
MOSFET PCH -30V -31A POWER
- 制造商：
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | RQ3E100ATTB 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | HSMT-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 17 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Id-连续漏极电流 | 31 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 11.4 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V |
| Qg-栅极电荷 | 42 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：57,145
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥5.0152
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.0152 | ￥5.0152 |
| 10+ | ￥4.2043 | ￥42.0430 |
| 100+ | ￥2.7147 | ￥271.4700 |
| 1,000+ | ￥2.1682 | ￥2,168.2000 |
| 3,000+ | ￥1.8245 | ￥5,473.5000 |
| 9,000+ | ￥1.7628 | ￥15,865.2000 |
| 24,000+ | ￥1.6923 | ￥40,615.2000 |
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