SQJ262EP-T1_GE3
MOSFET Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified
- 制造商：
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SQJ262EP-T1_GE3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | PowerPAK-SO-8L-4 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | TrenchFET |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 27 W , 48 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Id-连续漏极电流 | 15 A , 40 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 29.5 mOhms, 12.6 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 6.5 nC , 14.5 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：58,852
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥6.8132
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.8132 | ￥6.8132 |
| 10+ | ￥6.0993 | ￥60.9930 |
| 100+ | ￥4.7507 | ￥475.0700 |
| 500+ | ￥3.9310 | ￥1,965.5000 |
| 3,000+ | ￥3.0761 | ￥9,228.3000 |
| 6,000+ | ￥2.6618 | ￥15,970.8000 |
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