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| 数据手册 | IPT029N08N5ATMA1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | HSOF-8 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 167 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Id-连续漏极电流 | 169 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.9 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.2 V |
| Qg-栅极电荷 | 87 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：50,816
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥26.2128
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥26.2128 | ￥26.2128 |
| 10+ | ￥22.2465 | ￥222.4650 |
| 100+ | ￥16.7907 | ￥1,679.0700 |
| 500+ | ￥15.8035 | ￥7,901.7500 |
| 2,000+ | ￥13.1329 | ￥26,265.8000 |
| 4,000+ | ￥12.1457 | ￥48,582.8000 |
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