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| 数据手册 | TP65H035WS 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | GaN Si |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 156 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 46.5 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 41 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.3 V |
| Qg-栅极电荷 | 36 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：54,881
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥120.6372
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥120.6372 | ￥120.6372 |
| 10+ | ￥109.6726 | ￥1,096.7260 |
| 25+ | ￥101.4315 | ￥2,535.7875 |
| 50+ | ￥97.1567 | ￥4,857.8350 |
| 100+ | ￥93.1904 | ￥9,319.0400 |
| 250+ | ￥84.9493 | ￥21,237.3250 |
| 500+ | ￥79.5640 | ￥39,782.0000 |
| 1,000+ | ￥72.6802 | ￥72,680.2000 |
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