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    SCT3030KLGC11

    MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS

    制造商:
    ROHM Semiconductor
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 SCT3030KLGC11 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-247N-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SiC
    配置 Single
    Pd-功率耗散 339 W
    Vgs - 栅极-源极电压 - 4 V, 22 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 1200 V
    Id-连续漏极电流 72 A
    Rds On-漏源导通电阻 30 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2.7 V
    Qg-栅极电荷 131 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:58,258

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥398.7277
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥398.7277 ¥398.7277
    5+ ¥391.4209 ¥1,957.1045
    10+ ¥381.2584 ¥3,812.5840
    25+ ¥373.7577 ¥9,343.9425
    100+ ¥346.3726 ¥34,637.2600

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