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    SCT3040KLGC11

    MOSFET N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS

    制造商:
    ROHM Semiconductor
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-247N-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SiC
    配置 Single
    Pd-功率耗散 262 W
    Vgs - 栅极-源极电压 - 4 V, 22 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 1200 V
    Id-连续漏极电流 55 A
    Rds On-漏源导通电阻 40 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2.7 V
    Qg-栅极电荷 107 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:57,573

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥210.7339
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥210.7339 ¥210.7339
    5+ ¥208.5657 ¥1,042.8285
    10+ ¥194.3751 ¥1,943.7510
    25+ ¥185.6405 ¥4,641.0125
    100+ ¥165.9941 ¥16,599.4100
    250+ ¥158.3171 ¥39,579.2750

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