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    R6007JND3TL1

    MOSFET NCH 600V 7A POWER

    制造商:
    ROHM Semiconductor
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 R6007JND3TL1 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-252-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 PrestoMOS
    配置 Single
    Pd-功率耗散 96 W
    Vgs - 栅极-源极电压 30 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 600 V
    Id-连续漏极电流 7 A
    Rds On-漏源导通电阻 780 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 5 V
    Qg-栅极电荷 17.5 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:58,962

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥9.7924
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥9.7924 ¥9.7924
    10+ ¥8.3028 ¥83.0280
    100+ ¥6.6281 ¥662.8100
    500+ ¥5.8437 ¥2,921.8500
    1,000+ ¥4.8389 ¥4,838.9000
    2,500+ ¥4.5040 ¥11,260.0000

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