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| 数据手册 | TPH3212PS 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | GaN Si |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 104 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 18 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 27 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 85 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.6 V |
| Qg-栅极电荷 | 14.6 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,962
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥86.4389
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥86.4389 | ￥86.4389 |
| 10+ | ￥78.5680 | ￥785.6800 |
| 25+ | ￥72.6185 | ￥1,815.4625 |
| 50+ | ￥69.5865 | ￥3,479.3250 |
| 100+ | ￥66.7308 | ￥6,673.0800 |
| 250+ | ￥60.8430 | ￥15,210.7500 |
| 500+ | ￥56.9473 | ￥28,473.6500 |
| 1,000+ | ￥52.0467 | ￥52,046.7000 |
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