TP65H050WS
MOSFET 650V, 50mO
- 制造商：
-
Transphorm
- 产品类别
-
MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
-
无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
Through Hole |
| 最小工作温度 |
- 55 C |
| 最大工作温度 |
+ 150 C |
| 封装 / 箱体 |
TO-247-3 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
GaN Si |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
119 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
20 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
650 V |
| Id-连续漏极电流 |
36 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
60 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 |
3.3 V |
| Qg-栅极电荷 |
24 nC |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥96.0462
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥96.0462 |
￥96.0462 |
|
10+
|
￥88.2370 |
￥882.3700 |
|
25+
|
￥84.5791 |
￥2,114.4775 |
|
50+
|
￥82.0407 |
￥4,102.0350 |
|
100+
|
￥73.1121 |
￥7,311.2100 |
|
250+
|
￥70.7588 |
￥17,689.7000 |
|
500+
|
￥66.2372 |
￥33,118.6000 |
|
1,000+
|
￥60.6579 |
￥60,657.9000 |
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